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OP798B

光电晶体管 Photo Transistor

Phototransistors 890nm Top View TO-18-2


得捷:
SENSOR PHOTO 890NM TOP VIEW TO18


贸泽:
光电晶体管 Photo Transistor


艾睿:
Phototransistor Chip Silicon 2-Pin TO-18


Allied Electronics:
PHOTOTRANS. W/BASE-EMITTER RES. PLAS TO-46


OP798B中文资料参数规格
技术参数

波长 890 nm

耗散功率 250 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 100 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 TO-18-2

外形尺寸

高度 7.62 mm

封装 TO-18-2

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -40℃ ~ 100℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

OP798B引脚图与封装图
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