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OP501DA

光电晶体管 Photo Darlington

Phototransistors 935nm Top View 0805 2012 Metric


得捷:
SENSOR PHOTO 935NM TOP VIEW 0805


贸泽:
光电晶体管 Photo Darlington


艾睿:
No Phototransistor IR Chip Silicon 2-Pin SMD


Allied Electronics:
INFRARED PHOTO DARLINGTON; 0805 PKG; BLACK LENS; FLAT


Chip1Stop:
Phototransistor IR Chip Silicon 2-Pin SMD


OP501DA中文资料参数规格
技术参数

波长 935 nm

视角 150°

极性 NPN

耗散功率 100 mW

功耗 100 mW

击穿电压集电极-发射极 35 V

额定功率Max 100 mW

下降时间 60 µs

下降时间Max 60000 ns

上升时间Max 60000 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -25 ℃

耗散功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装公制 2012

封装 0805

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.8 mm

封装公制 2012

封装 0805

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -25℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR, Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

OP501DA引脚图与封装图
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