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OP800C

光电晶体管 Photo Transistor

Phototransistors 890nm Top View TO-206AA, TO-18-3 Metal Can


得捷:
SENSOR PHOTO 890NM TOP TO206AA


贸泽:
光电晶体管 Photo Transistor


艾睿:
Phototransistor Chip Silicon 890nm 3-Pin TO-18


Allied Electronics:
PHOTOTRANS SILICON NPN HERM TO18


OP800C中文资料参数规格
技术参数

波长 890 nm

峰值波长 890 nm

耗散功率 250 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

额定功率Max 250 mW

下降时间 7 µs

下降时间Max 7000 ns

上升时间Max 7000 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-18-3

外形尺寸

长度 4.75 mm

宽度 4.75 mm

高度 7.61 mm

封装 TO-18-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 125℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

OP800C引脚图与封装图
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