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OP804SL

OPTEK TECHNOLOGY  OP804SL  光电三极管,TO-18

The is a Silicon NPN Phototransistor mounted in a hermetically sealed package that offers high power dissipation and superior hostile environment operation. The base lead is bonded to enable conventional transistor biasing. Device is 100% production tested using an infrared light source for close correlation with OPTEK"s GaAs and GaAIAs emitters.

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Narrow receiving angle
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Enhanced temperature range
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Mechanically and spectrally matched to the OP130 and OP231 series of infrared emitting diodes
OP804SL中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 30.0 V

额定电压DC 30.0 V

工作电压 30.0 V

输出电压 ≤30.0 V

针脚数 3

波长 890 nm

视角 25°

极性 NPN

耗散功率 250 mW

功耗 250 mW

上升时间 7000 ns

击穿电压集电极-发射极 30 V

额定功率Max 250 mW

下降时间 7 µs

下降时间Max 7000 ns

上升时间Max 7000 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-18-3

外形尺寸

长度 5.84 mm

宽度 5.84 mm

高度 6.86 mm

封装 TO-18-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 125℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

制造应用 工业, 便携式器材, 传感与仪器, Industrial, Portable Devices, Sensing & Instrumentation, Sensing & Instrumentation, Portable Devices, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 ECL99

OP804SL引脚图与封装图
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