OP506D中文资料参数规格
技术参数
输出电压 ≤30.0 V
波长 935 nm
峰值波长 935 nm
极性 NPN
耗散功率 100 mW
功耗 100 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
额定功率Max 100 mW
工作温度Max 100 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 100 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 T-1
外形尺寸
封装 T-1
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 100℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
OP506D引脚图与封装图
暂无图片
替代型号OP506D
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： OP506D 品牌： TT Electronics/Optek Technology 封装： | 当前型号 | 光电晶体管 Photo Transistor | 当前型号 |
| 型号： OP560C 品牌： TT Electronics/Optek Technology 封装： | 类似代替 | OPTEK TECHNOLOGY OP560C 光电耦合器 | OP506D和OP560C的区别 |
| 型号： OP560A 品牌： TT Electronics/Optek Technology 封装： | 功能相似 | Photo Darlington, 930nm , 0.0095A IC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 | OP506D和OP560A的区别 |
| 型号： OP560B 品牌： TT Electronics/Optek Technology 封装： | 功能相似 | 光电晶体管 Photodarlington | OP506D和OP560B的区别 |