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ON5088,115

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数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 分立器件

Trans RF BJT NPN 3V 0.04A 136mW 4Pin3+Tab DFP T/R

RF NPN 10V 40mA 55GHz 136mW 表面贴装型 4-DFP


得捷:
ON5088 - NPN WIDEBAND SILICON GE


立创商城:
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艾睿:
Trans RF BJT NPN 3V 0.04A 136mW 4-Pin3+Tab DFP T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 3V 0.04A 4-Pin3+Tab DFP T/R


Verical:
Trans RF BJT NPN 3V 0.04A 136mW 4-Pin3+Tab DFP T/R


RfMW:
Transistor, NPN wideband silicon germanium RF transistor


ON5088,115中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 0.136 W

输入电容 0.4 pF

输出功率 9 dBm

击穿电压集电极-发射极 10 V

增益 13 dB

最小电流放大倍数hFE 160 @10mA, 2V

额定功率Max 136 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 136 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-343

外形尺寸

封装 SOT-343

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

ON5088,115引脚图与封装图
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在线购买ON5088,115
型号 制造商 描述 购买
ON5088,115 NXP 恩智浦 Trans RF BJT NPN 3V 0.04A 136mW 4Pin3+Tab DFP T/R 搜索库存
替代型号ON5088,115
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： ON5088,115

品牌： NXP 恩智浦

封装： 136mW

当前型号

Trans RF BJT NPN 3V 0.04A 136mW 4Pin3+Tab DFP T/R

当前型号

型号： BFR92PE6327HTSA1

品牌： 英飞凌

封装： SOT-23 NPN 15V 45mA 280mW

功能相似

INFINEON  BFR92PE6327HTSA1  晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 5 GHz, 280 mW, 45 mA, 100 hFE

ON5088,115和BFR92PE6327HTSA1的区别