NLAS3799LMNR2G
数据手册.pdfON Semiconductor(安森美)
电子元器件分类
NLAS3799LMNR2G中文资料参数规格
技术参数
无卤素状态 Halogen Free
供电电流 40 µA
电路数 2
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 40 ℃
3dB带宽 19 MHz
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 1.65 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 QFN-16
外形尺寸
长度 2.6 mm
宽度 1.8 mm
高度 0.75 mm
封装 QFN-16
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
NLAS3799LMNR2G引脚图与封装图 
NLAS3799LMNR2G引脚图
NLAS3799LMNR2G封装图
NLAS3799LMNR2G封装焊盘图
在线购买NLAS3799LMNR2G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| NLAS3799LMNR2G | ON Semiconductor 安森美 | 双双刀双掷开关,极低的通态电阻 | 搜索库存 |
替代型号NLAS3799LMNR2G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： NLAS3799LMNR2G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： QFN | 当前型号 | 双双刀双掷开关,极低的通态电阻 | 当前型号 |
| 型号： NLAS3799BLMNR2G 品牌： 安森美 封装： QFN 4.5V | 类似代替 | DPDT模拟开关,超低导通电阻,1.8V,无铅 | NLAS3799LMNR2G和NLAS3799BLMNR2G的区别 |
| 型号： NLAS3799BMNR2G 品牌： 安森美 封装： QFN | 功能相似 | DPDT模拟开关,超低导通电阻,2.8V | NLAS3799LMNR2G和NLAS3799BMNR2G的区别 |
| 型号： NLAS3799BMUR2G 品牌： 安森美 封装： UQFN | 功能相似 | DPDT模拟开关,超低导通电阻,2.8V,无铅 | NLAS3799LMNR2G和NLAS3799BMUR2G的区别 |