MT3S113TU,LF

Toshiba(东芝) 电子元器件分类

射频RF双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 900mW

RF 晶体管 NPN 5.3V 100mA 11.2GHz 900mW 表面贴装型 UFM

得捷:
RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM

贸泽:
射频RF双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 900mW

艾睿:
Trans RF BJT NPN 5.3V 0.1A 900mW 3-Pin UFM T/R

Verical:
Trans RF BJT NPN 5.3V 0.1A 900mW 3-Pin UFM T/R

MT3S113TU,LF中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 0.9 W

击穿电压集电极-发射极 5.3 V

增益 12.5 dB

最小电流放大倍数hFE 200 @30mA, 5V

额定功率Max 900 mW

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 900 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 UFM-3

外形尺寸

封装 UFM-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

MT3S113TU,LF引脚图与封装图

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