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MMSTA06Q-7-F

MMSTA06Q-7-F

数据手册.pdf
Diodes(美台) 电子元器件分类

Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 200mW 3-Pin SOT-323 T/R

Bipolar BJT Transistor NPN 80V 500mA 100MHz 200mW Surface Mount SOT-323


得捷:
TRANS NPN 80V 0.5A SOT323


艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 200mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 200mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R


MMSTA06Q-7-F中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

耗散功率 0.2 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323

外形尺寸

封装 SOT-323

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

MMSTA06Q-7-F引脚图与封装图
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MMSTA06Q-7-F Diodes 美台 Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 200mW 3-Pin SOT-323 T/R 搜索库存