MMRF5017HSR5

NXP(恩智浦) 电子元器件分类

射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 50V GaN on Sic 90W CW 3MHz-1GHz

RF Mosfet HEMT 50V 200mA 30MHz ~ 2.2GHz 18.4dB 125W NI-400S-2S

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RF MOSFET HEMT 50V NI400S-2S

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MMRF5017HSR5

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射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 50V GaN on Sic 90W CW 3MHz-1GHz

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Trans RF MOSFET 125V 3-Pin CFMF T/R

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GaN 2.2GHz 250W NI400S4S

Verical:
Trans RF MOSFET 125V 3-Pin CFMF T/R

MMRF5017HSR5中文资料参数规格

技术参数

频率 30MHz ~ 2.2GHz

耗散功率 154 W

输出功率 125 W

增益 18.4 dB

测试电流 200 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 154000 mW

额定电压 150 V

封装参数

引脚数 3

封装 NI-400S-2S

外形尺寸

封装 NI-400S-2S

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

MMRF5017HSR5引脚图与封装图

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