MIMD10A-7-F

Diodes(美台) 分立器件

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 50V 100mA，500mA 250MHz，200MHz 200mW 表面贴装型 SOT-363

得捷:
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased PREBIASED COMP.

艾睿:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA/500mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R

安富利:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA/500mA 6-Pin SOT-363 T/R

Verical:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA/500mA 200mW 6-Pin SOT-363 T/R

Win Source:
DUAL PRE-BIASED TRANSISTORS FOR POWER MANAGEMENT

MIMD10A-7-F中文资料参数规格

技术参数

通道数 2

极性 NPN+PNP

耗散功率 0.2 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA/500mA

最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOT-363-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MIMD10A-7-F引脚图与封装图

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