MMDT4146-7
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
MMDT4146-7中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 40.0 V
额定电流 200 mA
极性 NPN+PNP
击穿电压集电极-发射极 25 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 120 @2mA, 1V
额定功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-363
外形尺寸
封装 SOT-363
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC
MMDT4146-7引脚图与封装图
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在线购买MMDT4146-7
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMDT4146-7 | Diodes 美台 | TRANS NPN/PNP 25V 0.2A SOT363 | 搜索库存 |
替代型号MMDT4146-7
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMDT4146-7 品牌： Diodes 美台 封装： SOT-363 NPN+PNP 40V 200mA | 当前型号 | TRANS NPN/PNP 25V 0.2A SOT363 | 当前型号 |
| 型号： MMDT4146-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-363 NPN+PNP 40V 200mA 200mW | 完全替代 | MMDT4146 系列 NPN/PNP 25 V 200 mW 小信号 晶体管 表面贴装 - SOT-363-6 | MMDT4146-7和MMDT4146-7-F的区别 |