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MMDT4126-7

MMDT4126-7

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

TRANS 2PNP 25V 0.2A SOT363

Bipolar BJT Transistor Array 2 PNP Dual 25V 200mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363


艾睿:
Trans GP BJT PNP 25V 0.2A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R


MMDT4126-7中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -25.0 V

额定电流 -200 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 25 V

集电极最大允许电流 0.2A

最小电流放大倍数hFE 120 @2mA, 1V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-323-6

外形尺寸

封装 SOT-323-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC

MMDT4126-7引脚图与封装图
MMDT4126-7引脚图

MMDT4126-7引脚图

MMDT4126-7封装图

MMDT4126-7封装图

MMDT4126-7封装焊盘图

MMDT4126-7封装焊盘图

在线购买MMDT4126-7
型号 制造商 描述 购买
MMDT4126-7 Diodes 美台 TRANS 2PNP 25V 0.2A SOT363 搜索库存
替代型号MMDT4126-7
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MMDT4126-7

品牌: Diodes 美台

封装: SOT-363 PNP 25V 200mA

当前型号

TRANS 2PNP 25V 0.2A SOT363

当前型号

型号: MMDT4126-7-F

品牌: 美台

封装: SOT-363 PNP 25V 200mA 200mW

完全替代

Trans GP BJT PNP 25V 0.2A 200mW Automotive 6Pin SOT-363 T/R

MMDT4126-7和MMDT4126-7-F的区别