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MMDT2227-7

MMDT2227-7

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

特点•互补NPN/ PNP小信号面装载晶体管•互补配对•外延平面电路小片建设•超小型表面贴装封装•2222A型(NPN),2907A型(PNP)•非常适于低功率放大和开关•无铅/ RoHS规定(注2)

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| 75V/-60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| 40V/-60V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| 600mA/-600mA 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 300MHz 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 100~300 管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage| 300mV/-300mV 耗散功率Pc Power Dissipation| 200mW Description & Applications| Features • COMPLEMENTARY NPN / PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR • Complementary Pair • Epitaxial Planar Die Construction • Ultra-Small Surface Mount Package • One 2222A Type NPN, One 2907A Type PNP • Ideal for Low Power Amplification and Switching • Lead Free/RoHS Compliant Note 2 描述与应用| 特点 •互补NPN/ PNP小信号面装载 •互补配对 •外延平面电路小片建设 •超小型表面贴装封装 •2222A型(NPN),2907A型(PNP) •非常适于低功率放大和开关 •无铅/ RoHS规定(注2)

MMDT2227-7中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 40.0 V

额定电流 600 mA

极性 NPN+PNP

击穿电压集电极-发射极 40V, 60V

集电极最大允许电流 0.6A

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-363

外形尺寸

封装 SOT-363

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC

MMDT2227-7引脚图与封装图
MMDT2227-7引脚图

MMDT2227-7引脚图

MMDT2227-7封装图

MMDT2227-7封装图

MMDT2227-7封装焊盘图

MMDT2227-7封装焊盘图

在线购买MMDT2227-7
型号 制造商 描述 购买
MMDT2227-7 Diodes 美台 特点•互补NPN/ PNP小信号面装载晶体管•互补配对•外延平面电路小片建设•超小型表面贴装封装•2222A型(NPN),2907A型(PNP)•非常适于低功率放大和开关•无铅/ RoHS规定(注2) 搜索库存
替代型号MMDT2227-7
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MMDT2227-7

品牌: Diodes 美台

封装: SOT-363 NPN+PNP 40V 600mA

当前型号

特点•互补NPN/ PNP小信号面装载晶体管•互补配对•外延平面电路小片建设•超小型表面贴装封装•2222A型(NPN),2907A型(PNP)•非常适于低功率放大和开关•无铅/ RoHS规定(注2)

当前型号

型号: MMDT2227-7-F

品牌: 美台

封装: SOT-363 NPN 40V 600mA 200mW

功能相似

NPN+PNP Ic=±600mA Vceo=1=40V Vceo=2=-60V hfe=35~300 fT=300MHz P=200mW 2通路

MMDT2227-7和MMDT2227-7-F的区别

型号: MMDT2227

品牌: 美台

封装:

功能相似

Trans GP BJT NPN/PNP 40V/60V 0.6A Automotive 6Pin SOT-363 T/R

MMDT2227-7和MMDT2227的区别