MMDT4401-7
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
MMDT4401-7中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 40.0 V
额定电流 600 mA
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 1V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363
外形尺寸
封装 SOT-363
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MMDT4401-7引脚图与封装图
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在线购买MMDT4401-7
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMDT4401-7 | Diodes 美台 | TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT363 | 搜索库存 |
替代型号MMDT4401-7
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMDT4401-7 品牌： Diodes 美台 封装： SOT-363 NPN 40V 600mA | 当前型号 | TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT363 | 当前型号 |
| 型号： MMDT4401-7-F 品牌： 美台 封装： SOT363 NPN 40V 600mA 200mW | 类似代替 | 三极管 | MMDT4401-7和MMDT4401-7-F的区别 |
| 型号： MMDT4401 品牌： 美微科 封装： | 功能相似 | Sot-363 Plastic-encapsulate Biploar Transistors | MMDT4401-7和MMDT4401的区别 |