MMDT4403-7
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
MMDT4403-7中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -40.0 V
额定电流 -600 mA
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 2V
额定功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TSSOP-6
外形尺寸
封装 TSSOP-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC
MMDT4403-7引脚图与封装图 
MMDT4403-7引脚图
MMDT4403-7封装图
MMDT4403-7封装焊盘图
在线购买MMDT4403-7
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMDT4403-7 | Diodes 美台 | TRANS 2PNP 40V 0.6A SOT363 | 搜索库存 |
替代型号MMDT4403-7
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMDT4403-7 品牌： Diodes 美台 封装： SOT-363 PNP 40V 600mA | 当前型号 | TRANS 2PNP 40V 0.6A SOT363 | 当前型号 |
| 型号： MMDT4403-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-363 PNP 40V 600mA 200mW | 完全替代 | MMDT4403-7-F 编带 | MMDT4403-7和MMDT4403-7-F的区别 |
| 型号： MMDT4403 品牌： 美微科 封装： | 功能相似 | Sot-363 Plastic-encapsulate Biploar Transistors | MMDT4403-7和MMDT4403的区别 |