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MMDT4146-7-F

MMDT4146-7-F

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

MMDT4146 系列 NPN/PNP 25 V 200 mW 小信号 晶体管 表面贴装 - SOT-363-6

- 双极 BJT - 阵列 NPN,PNP 25V 200mA 300MHz,250MHz 200mW 表面贴装型 SOT-363


立创商城:
1个NPN,1个PNP 25V 200mA


得捷:
TRANS NPN/PNP 25V 0.2A SOT363


艾睿:
Implement this npn and PNP MMDT4146-7-F GP BJT from Diodes Zetex to add switching and amplifying capabilities to your electronic circuit design. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5@NPN|4@PNP V. Its maximum power dissipation is 200 mW. Tape and reel packaging will encase this product during shipment, in order to ensure safe delivery and enable quick mounting of components. It has a maximum collector emitter voltage of 25 V and a maximum emitter base voltage of 5@NPN|4@PNP V.


Allied Electronics:
NPN/PNP Small Signal Transistor SOT-363


安富利:
Trans GP BJT NPN/PNP 25V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN/PNP 25V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN/PNP 25V 0.2A 200mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R


Win Source:
TRANS NPN/PNP 25V 0.2A SOT363


DeviceMart:
TRANSISTOR COMP PAIR 40V SOT363


MMDT4146-7-F中文资料参数规格
技术参数

频率 300 MHz

额定电压DC 40.0 V

额定电流 200 mA

极性 NPN+PNP

耗散功率 0.2 W

击穿电压集电极-发射极 25 V

集电极最大允许电流 0.2A

最小电流放大倍数hFE 120 @2mA, 1V

额定功率Max 200 mW

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

封装 SC-70-6

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMDT4146-7-F引脚图与封装图
MMDT4146-7-F引脚图

MMDT4146-7-F引脚图

MMDT4146-7-F封装图

MMDT4146-7-F封装图

MMDT4146-7-F封装焊盘图

MMDT4146-7-F封装焊盘图

在线购买MMDT4146-7-F
型号 制造商 描述 购买
MMDT4146-7-F Diodes 美台 MMDT4146 系列 NPN/PNP 25 V 200 mW 小信号 晶体管 表面贴装 - SOT-363-6 搜索库存
替代型号MMDT4146-7-F
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MMDT4146-7-F

品牌: Diodes 美台

封装: SOT-363 NPN+PNP 40V 200mA 200mW

当前型号

MMDT4146 系列 NPN/PNP 25 V 200 mW 小信号 晶体管 表面贴装 - SOT-363-6

当前型号

型号: MMDT4146-7

品牌: 美台

封装: SOT-363 NPN+PNP 40V 200mA

完全替代

TRANS NPN/PNP 25V 0.2A SOT363

MMDT4146-7-F和MMDT4146-7的区别