MMDT5451-7
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
MMDT5451-7中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 160 V
额定电流 200 mA
极性 NPN+PNP
耗散功率 0.2 W
增益频宽积 300 MHz
击穿电压集电极-发射极 160V, 150V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 60
最大电流放大倍数hFE 240
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-363
外形尺寸
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-363
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC
MMDT5451-7引脚图与封装图 
MMDT5451-7引脚图
MMDT5451-7封装图
MMDT5451-7封装焊盘图
在线购买MMDT5451-7
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMDT5451-7 | Diodes 美台 | TRANS NPN/PNP 160V/150V SOT363 | 搜索库存 |
替代型号MMDT5451-7
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMDT5451-7 品牌： Diodes 美台 封装： SOT-363 NPN+PNP 160V 200mA | 当前型号 | TRANS NPN/PNP 160V/150V SOT363 | 当前型号 |
| 型号： MMDT5451-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-363 NPN 160V 200mA 200mW | 类似代替 | DIODES INC. MMDT5451-7-F 双极晶体管阵列, 双路, NPN, PNP, 160 V, 200 mW, 200 mA, 80 hFE, SOT-363 | MMDT5451-7和MMDT5451-7-F的区别 |