MMBT5551-7

Diodes(美台) 分立器件

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A Automotive 3Pin SOT-23 T/R

- 双极 BJT - 单 NPN 160 V 600 mA 300MHz 300 mW 表面贴装型 SOT-23-3

得捷:
TRANS NPN 160V 0.6A SMD SOT23-3

艾睿:
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

MMBT5551-7中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 160 V

额定电流 200 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 160 V

集电极最大允许电流 0.6A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC

MMBT5551-7引脚图与封装图

MMBT5551-7引脚图

MMBT5551-7封装图

MMBT5551-7封装焊盘图

在线购买MMBT5551-7

型号	制造商	描述	购买
MMBT5551-7	Diodes 美台	Trans GP BJT NPN 160V 0.6A Automotive 3Pin SOT-23 T/R	搜索库存

替代型号MMBT5551-7

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： MMBT5551-7 品牌： Diodes 美台封装： SOT-23-3 NPN 160V 200mA	当前型号	Trans GP BJT NPN 160V 0.6A Automotive 3Pin SOT-23 T/R	当前型号
型号： MMBT5551-7-F 品牌：美台封装： SOT-23 NPN 160V 200mA 300mW	完全替代	三极管	MMBT5551-7和MMBT5551-7-F的区别
型号： PMBT5550,235 品牌：恩智浦封装： TO-236-3 NPN 250mW	功能相似	TO-236AB NPN 140V 0.3A	MMBT5551-7和PMBT5550,235的区别
型号： PMBT5551,235 品牌：恩智浦封装： TO-236-3 NPN 250mW	功能相似	TO-236AB NPN 160V 0.3A	MMBT5551-7和PMBT5551,235的区别