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MMBT2222ALP4-7B

MMBT2222ALP4-7B

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

MMBT2222ALP4 系列 40 V 600 mA NPN 小信号 晶体管 - X2-DFN1006-3

- 双极 BJT - 单 NPN 300MHz 表面贴装型 X2-DFN1006-3


得捷:
TRANS NPN 40V 0.6A 3DFN


立创商城:
NPN 40V 600mA


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT General Purpose Tran X2-DFN1006-3 T&R; 10K


艾睿:
Design filters, receivers, transmitters, op-amps, power supplies, and control circuits with this versatile NPN MMBT2222ALP4-7B GP BJT from Diodes Zetex. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 1000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. It has a maximum collector emitter voltage of 40 V and a maximum emitter base voltage of 6 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


Allied Electronics:
40V NPN Small Signal Transistor DFN3


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A Automotive 3-Pin DFN EP T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW Automotive 3-Pin X2-DFN T/R


儒卓力:
**NPN TRAN 40V 0,6A DFN1006-3 **


Win Source:
TRANS NPN 40V 0.6A 3DFN


DeviceMart:
TRANS NPN 40V 600MA 3DFN


MMBT2222ALP4-7B中文资料参数规格
技术参数

频率 300 MHz

极性 NPN

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.6A

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V

额定功率Max 460 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 DFN1006-3

外形尺寸

封装 DFN1006-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMBT2222ALP4-7B引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
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