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MMBT123S-7-F

MMBT123S-7-F

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Diodes(美台) 分立器件

MMBT123S 系列 18 V 1 A 300 mW NPN 表面贴装 晶体管 - SOT-23-3

Use this versatile NPN GP BJT from Zetex to design various electronic circuits. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 300 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. It has a maximum collector emitter voltage of 18 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.

MMBT123S-7-F中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

额定电压DC 18.0 V

额定电流 1.00 A

极性 NPN

耗散功率 300 mW

增益频宽积 100 MHz

击穿电压集电极-发射极 18 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 150 @100mA, 1V

最大电流放大倍数hFE 800

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.05 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMBT123S-7-F引脚图与封装图
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在线购买MMBT123S-7-F
型号 制造商 描述 购买
MMBT123S-7-F Diodes 美台 MMBT123S 系列 18 V 1 A 300 mW NPN 表面贴装 晶体管 - SOT-23-3 搜索库存
替代型号MMBT123S-7-F
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： MMBT123S-7-F

品牌： Diodes 美台

封装： SOT-23-3 NPN 18V 1A 300mW

当前型号

MMBT123S 系列 18 V 1 A 300 mW NPN 表面贴装 晶体管 - SOT-23-3

当前型号

型号： MMBT123S-7

品牌： 美台

封装： SOT-23-3 NPN 18V 1A

完全替代

Trans GP BJT NPN 18V 1A 3Pin SOT-23 T/R

MMBT123S-7-F和MMBT123S-7的区别