MBRD835L-T
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
MBRD835L-T中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 35.0 V
额定电流 8.00 A
电容 600 pF
输出电流 ≤8.00 A
正向电压 510mV @8A
极性 Standard
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MBRD835L-T引脚图与封装图
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在线购买MBRD835L-T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MBRD835L-T | Diodes 美台 | Diode Schottky 35V 8A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 搜索库存 |
替代型号MBRD835L-T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MBRD835L-T 品牌： Diodes 美台 封装： DPAK 35V 8A | 当前型号 | Diode Schottky 35V 8A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 当前型号 |
| 型号： MBRD835L 品牌： 安森美 封装： TO-252-3 35V 8A 0.51V | 完全替代 | 开关模式电源整流器 SWITCHMODE Power Rectifier | MBRD835L-T和MBRD835L的区别 |
| 型号： SBRD8835LG 品牌： 安森美 封装： DPAK | 类似代替 | 开关模式电源整流器 SWITCHMODE Power Rectifier | MBRD835L-T和SBRD8835LG的区别 |
| 型号： SBRD8835LT4G 品牌： 安森美 封装： DPAK | 类似代替 | 3A 至 9A，ON Semiconductor### 标准带 NSV-、SBR- 或 S- 前缀的制造商部件号符合 AEC-Q101 汽车等级。### 二极管和整流器，ON Semiconductor | MBRD835L-T和SBRD8835LT4G的区别 |