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MMDT3906VC-7

MMDT3906VC-7

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Diodes(美台) 分立器件

MMDT3906 系列 双 PNP 40 V 150 mW 小信号 晶体管 表面贴装 - SOT-563

Add switching and amplifying capabilities to your electronic circuit with this PNP GP BJT from Zetex. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 150 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 40 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.

MMDT3906VC-7中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -40.0 V

额定电流 -200 mA

极性 PNP

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.2A

最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563-6

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 1.2 mm

高度 0.6 mm

封装 SOT-563-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMDT3906VC-7引脚图与封装图
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