
频率 300 MHz
额定电压DC 160 V
额定电流 200 mA
额定功率 0.2 W
针脚数 6
极性 NPN
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 160 V
最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 250
额定功率Max 200 mW
直流电流增益hFE 80
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-363
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 国防, 工业, 军用与航空, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
军工级 Yes
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99

MMDT5551-7-F引脚图

MMDT5551-7-F封装图

MMDT5551-7-F封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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MMDT5551-7-F | Diodes 美台 | MMDT5551 系列 NPN 160 V 200 mW 小信号 晶体管 表面贴装-SOT-363-6 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: MMDT5551-7-F 品牌: Diodes 美台 封装: SOT-363 NPN 160V 200mA 200mW | 当前型号 | MMDT5551 系列 NPN 160 V 200 mW 小信号 晶体管 表面贴装-SOT-363-6 | 当前型号 | |
型号: MMDT5551-7 品牌: 美台 封装: SOT-363 NPN 160V 200mA | 完全替代 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 160V 200mW | MMDT5551-7-F和MMDT5551-7的区别 | |
型号: MMDT5551-TP 品牌: 美微科 封装: 6-TSSOP NPN 160V 200mA 200mW | 类似代替 | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS MMDT5551-TP 双极性晶体管, NPN, 160VDC, SOT-363 | MMDT5551-7-F和MMDT5551-TP的区别 | |
型号: FFB5551 品牌: 飞兆/仙童 封装: 6-TSSOP NPN 160V 200mA 200mW | 类似代替 | FFB5551 NPN+NPN复合三极管 180V 200mA 300MHZ SOT-363/SC70-6 标记p1 用于开关/数字电路 | MMDT5551-7-F和FFB5551的区别 |