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MBR20100CT-G1

MBR20100CT-G1

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

MBR20100CT-G1 管装

Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 100V 10A Through Hole TO-220-3


得捷:
DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO220AB


立创商城:
100V 10A 840mV@10A


艾睿:
Rectifier Diode Schottky 100V 10A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


安富利:
SCHOTTKY RECTIFIER TO220AB TUBE 50PCS


Verical:
Rectifier Diode Schottky 100V 10A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Win Source:
DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO220AB


MBR20100CT-G1中文资料参数规格
技术参数

正向电压 0.85 V

正向电流 10000 mA

正向电压Max 840mV @10A

正向电流Max 10000 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

MBR20100CT-G1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
MBR20100CT-G1 Diodes 美台 MBR20100CT-G1 管装 搜索库存
替代型号MBR20100CT-G1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MBR20100CT-G1

品牌: Diodes 美台

封装: TO-220-3

当前型号

MBR20100CT-G1 管装

当前型号

型号: STPS20S100CT

品牌: 意法半导体

封装: TO-220-3

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MBR20100CT-G1和STPS20S100CT的区别

型号: MBR20100CT-E3/4W

品牌: 威世

封装: TO-220-3

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TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器,高达 20A,Vishay SemiconductorVishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 TMBS 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比,TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势,且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题,从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。### 特点专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 肖特基整流器,Vishay Semiconductor

MBR20100CT-G1和MBR20100CT-E3/4W的区别

型号: STPS20100CT

品牌: 意法半导体

封装: TO-220-3

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高压功率肖特基整流器 HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER

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