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MMBTA13-7-F

MMBTA13-7-F

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

达林顿晶体管 30V 300mW

Higher current yields within your circuit is what you will get with Zetex"s NPN Darlington transistor. This product"s maximum continuous DC collector current is 0.3 A, while its minimum DC current gain is 10000@100mA@5 V|5000@10mA@5V. It has a maximum collector emitter saturation voltage of 1.5@100uA@100mA V. This Darlington transistor array"s maximum emitter base voltage is 10 V. Its maximum power dissipation is 300 mW. Tape and reel packaging will encase this product during shipment, in order to ensure safe delivery and enable quick mounting of components. This Darlington transistor array has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 30 V and a maximum emitter base voltage of 10 V.

MMBTA13-7-F中文资料参数规格
技术参数

频率 125 MHz

额定电压DC 30.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.3A

最小电流放大倍数hFE 10000 @100mA, 5V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 125MHz Min

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.05 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMBTA13-7-F引脚图与封装图
MMBTA13-7-F引脚图

MMBTA13-7-F引脚图

MMBTA13-7-F封装图

MMBTA13-7-F封装图

MMBTA13-7-F封装焊盘图

MMBTA13-7-F封装焊盘图

在线购买MMBTA13-7-F
型号 制造商 描述 购买
MMBTA13-7-F Diodes 美台 达林顿晶体管 30V 300mW 搜索库存
替代型号MMBTA13-7-F
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MMBTA13-7-F

品牌: Diodes 美台

封装: SOT-23-3 NPN 30V 100mA 300mW

当前型号

达林顿晶体管 30V 300mW

当前型号

型号: MMBTA13-TP

品牌: 美微科

封装: TO-236-3 NPN 30V 300mA 225mW

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型号: KST13MTF

品牌: 安森美

封装: SOT-23-3 350mW

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型号: MMBTA13LT1

品牌: 摩托罗拉

封装:

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