MMBF170Q-13-F
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
MMBF170Q-13-F中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 300mW Ta
漏源极电压Vds 60 V
输入电容Ciss 40pF @10VVds
耗散功率Max 300mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MMBF170Q-13-F引脚图与封装图
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在线购买MMBF170Q-13-F
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBF170Q-13-F | Diodes 美台 | MOSFET N-CH 60V 0.5A | 搜索库存 |
替代型号MMBF170Q-13-F
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBF170Q-13-F 品牌： Diodes 美台 封装： SOT-23 | 当前型号 | MOSFET N-CH 60V 0.5A | 当前型号 |
| 型号： MMBF170Q-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-23-3 | 类似代替 | MOSFET N-CH 60V 0.5A SOT23-3 | MMBF170Q-13-F和MMBF170Q-7-F的区别 |