MMBF170Q-7-F
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
MMBF170Q-7-F中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 5.3 Ω
耗散功率 300 mW
阈值电压 800 mV
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 70 V
输入电容Ciss 40pF @10VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MMBF170Q-7-F引脚图与封装图
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在线购买MMBF170Q-7-F
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBF170Q-7-F | Diodes 美台 | MOSFET N-CH 60V 0.5A SOT23-3 | 搜索库存 |
替代型号MMBF170Q-7-F
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBF170Q-7-F 品牌： Diodes 美台 封装： SOT-23-3 | 当前型号 | MOSFET N-CH 60V 0.5A SOT23-3 | 当前型号 |
| 型号： MMBF170Q-13-F 品牌： 美台 封装： SOT-23 | 类似代替 | MOSFET N-CH 60V 0.5A | MMBF170Q-7-F和MMBF170Q-13-F的区别 |