额定电压DC -150 V
额定电流 -200 mA
极性 PNP
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 150 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 60 @10mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 240
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-323-3
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-323-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT, Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC
MMST5401-7引脚图
MMST5401-7封装图
MMST5401-7封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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MMST5401-7 | Diodes 美台 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP BIPOLAR | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: MMST5401-7 品牌: Diodes 美台 封装: SOT-323 PNP 150V 200mA | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP BIPOLAR | 当前型号 | |
型号: MMST5401-7-F 品牌: 美台 封装: SOT-323 PNP 150V 200mA 200mW | 完全替代 | MMST5401 系列 PNP 150 V 200 mW 小信号 晶体管 表面贴装 - SOT-323-3 | MMST5401-7和MMST5401-7-F的区别 | |
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型号: MMST5401 品牌: 美微科 封装: | 功能相似 | Sot-323 Plastic-encapsulate Biploar Transistors | MMST5401-7和MMST5401的区别 |