锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

MMST4126-7-F

MMST4126-7-F

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

Trans GP BJT PNP 25V 0.2A 3Pin SOT-323 T/R

Bipolar BJT Transistor PNP 25V 200mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-323


得捷:
TRANS PNP 25V 0.2A SC70-3


艾睿:
Design various electronic circuits with this versatile PNP MMST4126-7-F GP BJT from Diodes Zetex. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 4 V. Its maximum power dissipation is 200 mW. In order to guarantee safe delivery and allow for quick mounting of this component after delivery, it will be enclosed in tape and reel packaging during shipment. It has a maximum collector emitter voltage of 25 V and a maximum emitter base voltage of 4 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


安富利:
Trans GP BJT PNP 25V 0.2A 3-Pin SOT-323 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 25V 0.2A 3-Pin SOT-323 T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 25V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R


Win Source:
TRANS PNP 25V 0.2A SC70-3


DeviceMart:
TRANSISTOR PNP 25V SC70-3


MMST4126-7-F中文资料参数规格
技术参数

频率 250 MHz

额定电压DC -25.0 V

额定电流 -200 mA

极性 PNP

耗散功率 0.2 W

击穿电压集电极-发射极 25 V

集电极最大允许电流 0.2A

最小电流放大倍数hFE 120 @2mA, 1V

最大电流放大倍数hFE 360

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

宽度 1.35 mm

封装 SOT-323-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

MMST4126-7-F引脚图与封装图
MMST4126-7-F引脚图

MMST4126-7-F引脚图

MMST4126-7-F封装图

MMST4126-7-F封装图

MMST4126-7-F封装焊盘图

MMST4126-7-F封装焊盘图

在线购买MMST4126-7-F
型号 制造商 描述 购买
MMST4126-7-F Diodes 美台 Trans GP BJT PNP 25V 0.2A 3Pin SOT-323 T/R 搜索库存
替代型号MMST4126-7-F
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MMST4126-7-F

品牌: Diodes 美台

封装: SOT323 PNP 25V 200mA 200mW

当前型号

Trans GP BJT PNP 25V 0.2A 3Pin SOT-323 T/R

当前型号

型号: MMST4126-7

品牌: 美台

封装: SOT-323 PNP 25V 200mA

类似代替

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT -25V 200mW

MMST4126-7-F和MMST4126-7的区别