频率 100 MHz
额定功率 0.31 W
极性 NPN
耗散功率 0.35 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 0.5A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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MMBTA06Q-7-F | Diodes 美台 | 三极管 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: MMBTA06Q-7-F 品牌: Diodes 美台 封装: TO-236-3 NPN 350mW | 当前型号 | 三极管 | 当前型号 | |
型号: MMBTA06-7-F 品牌: 美台 封装: SOT-23 NPN 80V 500mA 300mW | 类似代替 | MMBTA06-7-F 编带 | MMBTA06Q-7-F和MMBTA06-7-F的区别 | |
型号: 2SD1782KT146Q 品牌: 罗姆半导体 封装: TO-236-3 NPN 80V 500mA 200mW | 功能相似 | ROHM 2SD1782KT146Q 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 120 MHz, 200 mW, 500 mA, 120 hFE | MMBTA06Q-7-F和2SD1782KT146Q的区别 | |
型号: MMBTA06-TP 品牌: 美微科 封装: TO-236-3 NPN 80V 500mA 300mW | 功能相似 | SOT-23 NPN 80V 0.5A | MMBTA06Q-7-F和MMBTA06-TP的区别 |