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MJD32C-13
Diodes(美台) 分立器件

MJD32C 系列 100 V 3 A 15 W PNP 表面贴装 晶体管 - TO252-3L

- 双极 BJT - 单 PNP 3MHz 表面贴装型 TO-252-3


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Win Source:
TRANS PNP 100V 3A TO252-3L


MJD32C-13中文资料参数规格
技术参数

频率 3 MHz

极性 PNP

耗散功率 15 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 10 @3A, 4V

最大电流放大倍数hFE 50

额定功率Max 1.56 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 15000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.8 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

MJD32C-13引脚图与封装图
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在线购买MJD32C-13
型号 制造商 描述 购买
MJD32C-13 Diodes 美台 MJD32C 系列 100 V 3 A 15 W PNP 表面贴装 晶体管 - TO252-3L 搜索库存
替代型号MJD32C-13
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MJD32C-13

品牌: Diodes 美台

封装: TO-252 PNP 15000mW

当前型号

MJD32C 系列 100 V 3 A 15 W PNP 表面贴装 晶体管 - TO252-3L

当前型号

型号: MJD32CQ-13

品牌: 美台

封装: TO-252-3 PNP 15000mW

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Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW Automotive 3Pin2+Tab TO-252 T/R

MJD32C-13和MJD32CQ-13的区别