MMBT3904 RFG
数据手册.pdfTaiwan Semiconductor(台湾半导体)
电子元器件分类
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 40 V
最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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