MMPQ6700R1
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
主动器件
MMPQ6700R1中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN+PNP
耗散功率 720 mW
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 35
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 720 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 16
封装 SOIC-16
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-16
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MMPQ6700R1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MMPQ6700R1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMPQ6700R1 | ON Semiconductor 安森美 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 200mA 40V Quad | 搜索库存 |
替代型号MMPQ6700R1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMPQ6700R1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOIC NPN+PNP | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 200mA 40V Quad | 当前型号 |
| 型号： MMPQ6700LEADFREE 品牌： Central Semiconductor 封装： | 功能相似 | SOIC NPN+PNP 40V 0.2A | MMPQ6700R1和MMPQ6700LEADFREE的区别 |
| 型号： MMPQ6700R1G 品牌： 安森美 封装： | 功能相似 | SOIC NPN+PNP 40V 0.2A | MMPQ6700R1和MMPQ6700R1G的区别 |
| 型号： MMPQ6700_NL 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | Quad NPN & PNP General Purpose Amplifier | MMPQ6700R1和MMPQ6700_NL的区别 |