MSMLG36AE3/TR
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
电子元器件分类
MSMLG36AE3/TR中文资料参数规格
技术参数
钳位电压 58.1 V
测试电流 1 mA
脉冲峰值功率 3000 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
引脚数 2
封装 DO-215AB
外形尺寸
封装 DO-215AB
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MSMLG36AE3/TR引脚图与封装图
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在线购买MSMLG36AE3/TR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MSMLG36AE3/TR | Microsemi 美高森美 | Diode TVS Single Uni-Dir 36V 3KW 2-Pin DO-215AB T/R | 搜索库存 |
替代型号MSMLG36AE3/TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MSMLG36AE3/TR 品牌： Microsemi 美高森美 封装： | 当前型号 | Diode TVS Single Uni-Dir 36V 3KW 2-Pin DO-215AB T/R | 当前型号 |
| 型号： MSMLG36A 品牌： 美高森美 封装： DO-215AB | 完全替代 | 表面安装3000瓦的瞬态电压抑制器 SURFACE MOUNT 3000 Watt Transient Voltage Suppressor | MSMLG36AE3/TR和MSMLG36A的区别 |
| 型号： MSMLG36AE3 品牌： 美高森美 封装： DO-215AB | 类似代替 | DO-215AB 36V 3000W | MSMLG36AE3/TR和MSMLG36AE3的区别 |