MRF6V12500GSR5

NXP(恩智浦) 主动器件

RF Power Transistor,960 to 1215MHz, 500W, Typ Gain in dB is 19.7 @ 1030MHz, 50V, LDMOS, SOT1802

RF Mosfet LDMOS 50V 200mA 960MHz ~ 1.215GHz 19.7dB NI-780GS-2L

得捷:
PULSED LATERAL N-CHANNEL RF POWE

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 110V 3-Pin CFM T/R

RfMW:
RF Power Transistor,960 to 1215 MHz, 500 W, Typ Gain in dB is 19.7 @ 1030 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1802

MRF6V12500GSR5中文资料参数规格

技术参数

频率 960MHz ~ 1.215GHz

输出功率 500 W

增益 19.7 dB

测试电流 200 mA

输入电容Ciss 1391pF @50VVds

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 110 V

电源电压 50 V

封装参数

引脚数 3

封装 NI-780GS-2L

外形尺寸

封装 NI-780GS-2L

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MRF6V12500GSR5引脚图与封装图

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MRF6V12500GSR5	NXP 恩智浦	RF Power Transistor,960 to 1215MHz, 500W, Typ Gain in dB is 19.7 @ 1030MHz, 50V, LDMOS, SOT1802	搜索库存