MMBZ30VALT116

ROHM Semiconductor 罗姆半导体主动器件

TVS二极管, MMBZ Series, 单向, 24 V, 43 V, SOT-23, 3 引脚

43V 夹子 950mA Ipp TVS - 表面贴装型 SOT-23

欧时:
Trans.Volt.Suppressor 40W Dual SOT-23

得捷:
TVS DIODE 24VWM 43VC SOT23

贸泽:
ESD Suppressors / TVS Diodes 40W Ppp 30 VbrV Trans Volt Supp

e络盟:
TVS二极管, MMBZ Series, 单向, 24 V, 43 V, SOT-23, 3 引脚

艾睿:
ESD Suppressor TVS Uni-Dir/Bi-Dir 24V 3-Pin SSD T/R

MMBZ30VALT116中文资料参数规格

技术参数

击穿电压 30 V

通道数 2

针脚数 3

耗散功率 40 W

钳位电压 43 V

测试电流 1 mA

最大反向击穿电压 31.5 V

脉冲峰值功率 40 W

最小反向击穿电压 28.5 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温 150 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

MMBZ30VALT116引脚图与封装图

MMBZ30VALT116引脚图

MMBZ30VALT116封装图

MMBZ30VALT116封装焊盘图

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