MASMLG33AE3
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
MASMLG33AE3中文资料参数规格
技术参数
钳位电压 53.3 V
最大反向电压（Vrrm） 33V
测试电流 1 mA
脉冲峰值功率 3000 W
最小反向击穿电压 36.7 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DO-215AB
外形尺寸
封装 DO-215AB
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MASMLG33AE3引脚图与封装图 
MASMLG33AE3引脚图
MASMLG33AE3封装图
MASMLG33AE3封装焊盘图
在线购买MASMLG33AE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MASMLG33AE3 | Microsemi 美高森美 | DO-215AB 33V 3000W | 搜索库存 |
替代型号MASMLG33AE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MASMLG33AE3 品牌： Microsemi 美高森美 封装： DO-215AB | 当前型号 | DO-215AB 33V 3000W | 当前型号 |
| 型号： MXSMLG33A 品牌： 美高森美 封装： SMLG | 完全替代 | TVS 3000W UNIDIRECT DO-215AB | MASMLG33AE3和MXSMLG33A的区别 |
| 型号： MASMLG33A 品牌： 美高森美 封装： DO-215AB | 完全替代 | DO-215AB 33V 3000W | MASMLG33AE3和MASMLG33A的区别 |
| 型号： MXSMLG33AE3 品牌： 美高森美 封装： DO-215AB-2 | 类似代替 | DO-215AB 33V 3000W | MASMLG33AE3和MXSMLG33AE3的区别 |
