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M36W832TE85ZA1S

数据手册.pdf
ST Microelectronics 意法半导体 电子元器件分类
M36W832TE85ZA1S中文资料参数规格
封装参数

封装 LFBGA

外形尺寸

封装 LFBGA

其他

产品生命周期 Unknown

M36W832TE85ZA1S引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
M36W832TE85ZA1S ST Microelectronics 意法半导体 32兆位的2Mb X16 ,引导块闪存和8兆位512KB SRAM X16 ,多重内存产品 32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product 搜索库存
替代型号M36W832TE85ZA1S
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: M36W832TE85ZA1S

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装:

当前型号

32兆位的2Mb X16 ,引导块闪存和8兆位512KB SRAM X16 ,多重内存产品 32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product

当前型号

型号: M36W432T85ZA6T

品牌: 意法半导体

封装: LFBGA 32000000B 85ns

功能相似

32兆位的2Mb X16 ,引导块闪存和4兆位256K x16的SRAM ,多重内存产品 32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product

M36W832TE85ZA1S和M36W432T85ZA6T的区别

型号: RD38F1010C0ZTL0

品牌: 英特尔

封装:

功能相似

32Mbit, 3V advanced+boot block fflash memory C3 stacked-chip scale package family, 70ns

M36W832TE85ZA1S和RD38F1010C0ZTL0的区别

型号: M36W216BI70ZA6

品牌: 意法半导体

封装:

功能相似

SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66, 12 X 8MM, 0.8MM PITCH, LFBGA-66

M36W832TE85ZA1S和M36W216BI70ZA6的区别