M36DR432A120ZA6T
数据手册.pdf
ST Microelectronics
意法半导体
电子元器件分类
M36DR432A120ZA6T中文资料参数规格
技术参数
存取时间 120 ns
内存容量 32000000 B
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 LFBGA
外形尺寸
封装 LFBGA
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
M36DR432A120ZA6T引脚图与封装图
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在线购买M36DR432A120ZA6T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| M36DR432A120ZA6T | ST Microelectronics 意法半导体 | 32兆位的2Mb X16 ，双行，页闪存和4兆位256K x16的SRAM ，多重内存产品 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product | 搜索库存 |
替代型号M36DR432A120ZA6T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： M36DR432A120ZA6T 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： LFBGA 32000000B 120ns | 当前型号 | 32兆位的2Mb X16 ，双行，页闪存和4兆位256K x16的SRAM ，多重内存产品 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product | 当前型号 |
| 型号： M36DR432A120ZA6C 品牌： 意法半导体 封装： | 功能相似 | 32兆位的2Mb X16 ，双行，页闪存和4兆位256K x16的SRAM ，多重内存产品 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product | M36DR432A120ZA6T和M36DR432A120ZA6C的区别 |
| 型号： M36DR432A120ZA6 品牌： Numonyx 封装： | 功能相似 | Memory Circuit, 2MX16, PBGA66, 0.8MM PITCH, STACK, LFBGA-66 | M36DR432A120ZA6T和M36DR432A120ZA6的区别 |
