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MSMLJ51CAE3

MSMLJ51CAE3

数据手册.pdf

DO-214AB 51V 3000W

**SURFACE MOUNT, 3000 Watt, Transient Voltage Suppressor**

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High Reliability controlled devices
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Unidirectional and Bidirectional construction
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Available in both J-bend and Gull-wing terminations
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Selections for 5.0 to 170 V standoff voltages Vwm

立创商城:
Vrwm:51V 3kW


艾睿:
Diode TVS Single Bi-Dir 51V 3KW 2-Pin SMC Bag


TME:
Diode: transil; 3kW; 59.7V; 36.4A; bidirectional; ±5%; DO214AB


Verical:
TVS Diode Single Bi-Dir 51V 3KW 2-Pin SMC Bag


MSMLJ51CAE3中文资料参数规格
技术参数

钳位电压 82.4 V

最大反向电压（Vrrm） 51V

测试电流 1 mA

脉冲峰值功率 3000 W

最小反向击穿电压 56.7 V

击穿电压 56.7 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 DO-214AB-2

外形尺寸

封装 DO-214AB-2

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准

MSMLJ51CAE3引脚图与封装图
MSMLJ51CAE3引脚图

MSMLJ51CAE3引脚图

MSMLJ51CAE3封装图

MSMLJ51CAE3封装图

MSMLJ51CAE3封装焊盘图

MSMLJ51CAE3封装焊盘图

在线购买MSMLJ51CAE3
型号 制造商 描述 购买
MSMLJ51CAE3 Microsemi 美高森美 DO-214AB 51V 3000W 搜索库存
替代型号MSMLJ51CAE3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： MSMLJ51CAE3

品牌： Microsemi 美高森美

封装： DO-214AB-2

当前型号

DO-214AB 51V 3000W

当前型号

型号： MSMLJ51CA

品牌： 美高森美

封装： DO-214AB

完全替代

DO-214AB 51V 3000W

MSMLJ51CAE3和MSMLJ51CA的区别

型号： MSMLJ51CAE3/TR

品牌： 美高森美

封装：

完全替代

Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 51V VRWM, Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMLJ, 2 PIN

MSMLJ51CAE3和MSMLJ51CAE3/TR的区别