MASMLJ10A
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
MASMLJ10A中文资料参数规格
技术参数
最大反向电压（Vrrm） 10V
脉冲峰值功率 3000 W
最小反向击穿电压 11.1 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214AB
外形尺寸
封装 DO-214AB
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MASMLJ10A引脚图与封装图 
MASMLJ10A引脚图
MASMLJ10A封装图
MASMLJ10A封装焊盘图
替代型号MASMLJ10A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MASMLJ10A 品牌： Microsemi 美高森美 封装： DO-214AB | 当前型号 | DO-214AB 10V 3000W | 当前型号 |
| 型号： SMLJ10A 品牌： 伯恩斯 封装： DO-214AB | 类似代替 | SMLJ瞬态电压抑制二极管系列 SMLJ Transient Voltage Suppressor Diode Series | MASMLJ10A和SMLJ10A的区别 |
| 型号： 3.0SMCJ10A 品牌： Diotec Semiconductor 封装： | 类似代替 | SMD Transient Voltage Suppressor Diodes | MASMLJ10A和3.0SMCJ10A的区别 |
| 型号： SMDJ10A 品牌： 力特 封装： DO-214AB | 功能相似 | 瞬态电压抑制二极管 Transient Voltage Suppression Diodes | MASMLJ10A和SMDJ10A的区别 |