MXLPLAD6.5KP51AE3
Microsemi(美高森美)
分立器件
MXLPLAD6.5KP51AE3中文资料参数规格
技术参数
脉冲峰值功率 6500 W
最小反向击穿电压 56.7 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SMD
外形尺寸
封装 SMD
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MXLPLAD6.5KP51AE3引脚图与封装图 
MXLPLAD6.5KP51AE3引脚图
MXLPLAD6.5KP51AE3封装图
MXLPLAD6.5KP51AE3封装焊盘图
在线购买MXLPLAD6.5KP51AE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MXLPLAD6.5KP51AE3 | Microsemi 美高森美 | TVS 6.5kW UNIDIRECT PLAD | 搜索库存 |
替代型号MXLPLAD6.5KP51AE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MXLPLAD6.5KP51AE3 品牌： Microsemi 美高森美 封装： | 当前型号 | TVS 6.5kW UNIDIRECT PLAD | 当前型号 |
| 型号： MPLAD6.5KP51A 品牌： 美高森美 封装： | 完全替代 | Tvs Diode 51vwm 82.4vc Plad | MXLPLAD6.5KP51AE3和MPLAD6.5KP51A的区别 |
| 型号： MPLAD6.5KP51AE3 品牌： 美高森美 封装： | 完全替代 | ESD Suppressors / TVS Diodes Uni-Directional TVS | MXLPLAD6.5KP51AE3和MPLAD6.5KP51AE3的区别 |
