MXPLAD6.5KP58AE3
Microsemi(美高森美)
分立器件
MXPLAD6.5KP58AE3中文资料参数规格
技术参数
脉冲峰值功率 6500 W
最小反向击穿电压 64.4 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SMD
外形尺寸
封装 SMD
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MXPLAD6.5KP58AE3引脚图与封装图 
MXPLAD6.5KP58AE3引脚图
MXPLAD6.5KP58AE3封装图
MXPLAD6.5KP58AE3封装焊盘图
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|---|---|---|---|
| MXPLAD6.5KP58AE3 | Microsemi 美高森美 | TVS 6.5kW UNIDIRECT PLAD | 搜索库存 |
替代型号MXPLAD6.5KP58AE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MXPLAD6.5KP58AE3 品牌： Microsemi 美高森美 封装： | 当前型号 | TVS 6.5kW UNIDIRECT PLAD | 当前型号 |
| 型号： MPLAD6.5KP58A 品牌： 美高森美 封装： | 完全替代 | Tvs Diode 58vwm 93.6vc Plad | MXPLAD6.5KP58AE3和MPLAD6.5KP58A的区别 |
| 型号： MPLAD6.5KP58AE3 品牌： 美高森美 封装： | 完全替代 | Tvs Diode 58vwm 93.6vc Plad | MXPLAD6.5KP58AE3和MPLAD6.5KP58AE3的区别 |
