MXPLAD6.5KP58CAE3
Microsemi(美高森美)
分立器件
MXPLAD6.5KP58CAE3中文资料参数规格
技术参数
脉冲峰值功率 6500 W
最小反向击穿电压 64.4 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 PLAD-2
外形尺寸
封装 PLAD-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MXPLAD6.5KP58CAE3引脚图与封装图 
MXPLAD6.5KP58CAE3引脚图
MXPLAD6.5KP58CAE3封装图
MXPLAD6.5KP58CAE3封装焊盘图
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|---|---|---|---|
| MXPLAD6.5KP58CAE3 | Microsemi 美高森美 | ESD Suppressors / TVS Diodes Bi-Directional TVS | 搜索库存 |
替代型号MXPLAD6.5KP58CAE3
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|---|---|---|---|---|
| 型号： MXPLAD6.5KP58CAE3 品牌： Microsemi 美高森美 封装： PLAD-2 | 当前型号 | ESD Suppressors / TVS Diodes Bi-Directional TVS | 当前型号 |
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| 型号： MPLAD6.5KP58CAE3 品牌： 美高森美 封装： | 类似代替 | Tvs Diode 58vwm 93.6vc Plad | MXPLAD6.5KP58CAE3和MPLAD6.5KP58CAE3的区别 |
