MX5KP51AE3
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
主动器件
MX5KP51AE3中文资料参数规格
技术参数
钳位电压 82.4 V
测试电流 5 mA
脉冲峰值功率 5000 W
最小反向击穿电压 56.7 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
工作结温 -65℃ ~ 150℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-204AR
外形尺寸
封装 DO-204AR
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准
MX5KP51AE3引脚图与封装图 
MX5KP51AE3引脚图
MX5KP51AE3封装图
MX5KP51AE3封装焊盘图
在线购买MX5KP51AE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MX5KP51AE3 | Microsemi 美高森美 | TVS DIODE 51VWM 82.4VC CASE5A | 搜索库存 |
替代型号MX5KP51AE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MX5KP51AE3 品牌： Microsemi 美高森美 封装： DO-204 | 当前型号 | TVS DIODE 51VWM 82.4VC CASE5A | 当前型号 |
| 型号： MX5KP51A 品牌： 美高森美 封装： DO-204 | 完全替代 | TVS DIODE 51VWM 82.4VC CASE5A | MX5KP51AE3和MX5KP51A的区别 |