MX5KP5.0AE3
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
主动器件
MX5KP5.0AE3中文资料参数规格
技术参数
脉冲峰值功率 5000 W
最小反向击穿电压 6.4 V
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 DO-204AR
外形尺寸
封装 DO-204AR
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准
含铅标准
MX5KP5.0AE3引脚图与封装图 
MX5KP5.0AE3引脚图
MX5KP5.0AE3封装图
MX5KP5.0AE3封装焊盘图
在线购买MX5KP5.0AE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MX5KP5.0AE3 | Microsemi 美高森美 | Tvs Diode 5vwm 9.2vc Case5a | 搜索库存 |
替代型号MX5KP5.0AE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MX5KP5.0AE3 品牌： Microsemi 美高森美 封装： DO-204 | 当前型号 | Tvs Diode 5vwm 9.2vc Case5a | 当前型号 |
| 型号： MX5KP5.0A 品牌： 美高森美 封装： DO-204 | 类似代替 | ESD 抑制器/TVS 二极管 Transient Voltage Suppressor | MX5KP5.0AE3和MX5KP5.0A的区别 |
| 型号： MX5KP5.0ATRE3 品牌： 美高森美 封装： | 功能相似 | Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 5V VRWM, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-204AR, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, 5A, 2 PIN | MX5KP5.0AE3和MX5KP5.0ATRE3的区别 |