MXPLAD30KP400AE3
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
MXPLAD30KP400AE3中文资料参数规格
技术参数
最大反向电压（Vrrm） 400V
脉冲峰值功率 30000 W
最小反向击穿电压 444 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SMD
外形尺寸
封装 SMD
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MXPLAD30KP400AE3引脚图与封装图
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在线购买MXPLAD30KP400AE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MXPLAD30KP400AE3 | Microsemi 美高森美 | 400V 30000W | 搜索库存 |
替代型号MXPLAD30KP400AE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MXPLAD30KP400AE3 品牌： Microsemi 美高森美 封装： ~1°C/W | 当前型号 | 400V 30000W | 当前型号 |
| 型号： MPLAD30KP400A 品牌： 美高森美 封装： ~1deg | 完全替代 | ESD 抑制器/TVS 二极管 TVS | MXPLAD30KP400AE3和MPLAD30KP400A的区别 |
| 型号： MPLAD30KP400AE3 品牌： 美高森美 封装： ~1deg | 完全替代 | 400V 30000W | MXPLAD30KP400AE3和MPLAD30KP400AE3的区别 |
