MT49H32M18CSJ-25E:B

Micron(镁光) 主动器件

DRAM Chip RLDRAM 576Mbit 32Mx18 1.5V/1.8V/2.5V 144Pin FBGA

DRAM 存储器 IC 576Mb（32M x 18）并联 400 MHz 15 ns 144-FBGA（18.5x11）

得捷:
IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA

艾睿:
DRAM Chip RLDRAM 576Mbit 32Mx18 1.5V/1.8V/2.5V 144-Pin FBGA

安富利:
DRAM Chip RLDRAM2 576M-Bit 32Mx18 1.8V 144-Pin F-BGA

MT49H32M18CSJ-25E:B中文资料参数规格

技术参数

存取时间 15 ns

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TFBGA-144

外形尺寸

封装 TFBGA-144

物理参数

工作温度 0℃ ~ 95℃

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

MT49H32M18CSJ-25E:B引脚图与封装图

暂无图片

在线购买MT49H32M18CSJ-25E:B

型号	制造商	描述	购买
MT49H32M18CSJ-25E:B	Micron 镁光	DRAM Chip RLDRAM 576Mbit 32Mx18 1.5V/1.8V/2.5V 144Pin FBGA	搜索库存