MT29F64G08CBABAWP-IT:B
数据手册.pdfMicron(镁光)
主动器件
MT29F64G08CBABAWP-IT:B中文资料参数规格
技术参数
工作电压 3.30 V
内存容量 8000000000 B
电源电压 2.7V ~ 3.6V
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
MT29F64G08CBABAWP-IT:B引脚图与封装图
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在线购买MT29F64G08CBABAWP-IT:B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MT29F64G08CBABAWP-IT:B | Micron 镁光 | MLC NAND Flash Parallel 3.3V 64Gbit 8G x 8Bit 8G x 8Bit 48Pin TSOP | 搜索库存 |
替代型号MT29F64G08CBABAWP-IT:B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MT29F64G08CBABAWP-IT:B 品牌： Micron 镁光 封装： 8000000000B | 当前型号 | MLC NAND Flash Parallel 3.3V 64Gbit 8G x 8Bit 8G x 8Bit 48Pin TSOP | 当前型号 |
| 型号： MT29F64G08CBAAAWP-IT:A 品牌： 镁光 封装： 8000000000B | 完全替代 | IC FLASH 64GBIT 48TSOP | MT29F64G08CBABAWP-IT:B和MT29F64G08CBAAAWP-IT:A的区别 |
